casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SA2M-M3/5AT
codice articolo del costruttore | SA2M-M3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-SA2M-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SA2M-M3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SA2M-M3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SA2M-M3/5AT-FT |
ES1A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1C-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1C-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel