casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10ETS12SPBF
codice articolo del costruttore | VS-10ETS12SPBF |
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Numero di parte futuro | FT-VS-10ETS12SPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETS12SPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETS12SPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10ETS12SPBF-FT |
SBLB1040-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1040HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB1040HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L25HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L25HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L30-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L30-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L30HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB10L30HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB8L40-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel