casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / VQ1006P-2
codice articolo del costruttore | VQ1006P-2 |
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Numero di parte futuro | FT-VQ1006P-2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VQ1006P-2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 4 N-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | 14-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VQ1006P-2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VQ1006P-2-FT |
IRFHM792TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM8363TRPBF
Infineon Technologies
IXTL2X180N10T
IXYS
IXTL2X200N085T
IXYS
IXTL2X220N075T
IXYS
JAN2N7334
Microsemi Corporation
JAN2N7335
Microsemi Corporation
JANTX2N7334
Microsemi Corporation
JANTX2N7335
Microsemi Corporation
JANTXV2N7334
Microsemi Corporation
XA3S250E-4TQG144Q
Xilinx Inc.
EP20K100ETC144-3
Intel
XC3S400-4FT256I
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-2PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EP1C6Q240C8
Intel
EP20K100EQC240-1X
Intel