casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / JANTXV2N7334
codice articolo del costruttore | JANTXV2N7334 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N7334 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/597 |
JANTXV2N7334 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 4 N-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | MO-036AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N7334 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N7334-FT |
FDG6304P-F169
ON Semiconductor
FDG6304P-X
ON Semiconductor
FDG6321C-F169
ON Semiconductor
FDG6332C-F085P
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FDMA2002NZ_F130
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FDMB3900N
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FDMC3300NZA
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FDMC8298
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FDMS3D5N08LC
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FDPC1002S
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