casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VN1206L-G
codice articolo del costruttore | VN1206L-G |
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Numero di parte futuro | FT-VN1206L-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN1206L-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 230mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN1206L-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VN1206L-G-FT |
IRF5800
Infineon Technologies
IRF5800TR
Infineon Technologies
IRF5800TRPBF
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IRF5801TRPBF
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IRF5802
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IRF5802TR
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IRF5803TR
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IRF5804
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IRF5804TR
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XC6SLX45-3FG676C
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XC2VP2-7FG456C
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