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Infineon Technologies IRF5801TRPBF
- Numero parte MFG
- IRF5801TRPBF
- quantità disponibile
- 83620 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.162968
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- HEXFET® MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IRF5801TRPBF.pdf
IRF5801TRPBF specificazioni
| codice articolo del costruttore | IRF5801TRPBF |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IRF5801TRPBF |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HEXFET® |
| IRF5801TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 600mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 360mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 88pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Micro6™(TSOP-6) |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF5801TRPBF Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IRF5801TRPBF-FT |
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