casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VN0808L-G
codice articolo del costruttore | VN0808L-G |
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Numero di parte futuro | FT-VN0808L-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN0808L-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN0808L-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VN0808L-G-FT |
IRF5805TRPBF
Infineon Technologies
IRF5806
Infineon Technologies
IRF5806TRPBF
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SI3443DVTRPBF
Infineon Technologies
SI3493DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
TPC6006-H(TE85L,F)
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TPC6008-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6009-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6010-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6011(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
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XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
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EP3C120F780I7
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EPF8452AQC160-3
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5SGSMD3H2F35C1N
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