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codice articolo del costruttore | VLS252010HBU-220M |
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Numero di parte futuro | FT-VLS252010HBU-220M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS-HBU |
VLS252010HBU-220M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 22µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 470mA |
Corrente - Saturazione | 750mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.004 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252010HBU-220M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS252010HBU-220M-FT |
VLS3010T-3R3M1R1
TDK Corporation
VLS3010ET-100M
TDK Corporation
VLS3010ET-150M
TDK Corporation
VLS3010ET-1R5N
TDK Corporation
VLS3010ET-220M
TDK Corporation
VLS3010ET-2R2M
TDK Corporation
VLS3010ET-4R7M
TDK Corporation
VLS3010T-100MR65
TDK Corporation
VLS3010T-2R2M1R3
TDK Corporation
VLS3010T-4R7MR80
TDK Corporation
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel