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codice articolo del costruttore | VLS201612HBX-4R7M-1 |
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Numero di parte futuro | FT-VLS201612HBX-4R7M-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | VLS-HBX-1 |
VLS201612HBX-4R7M-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Metal |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.2A |
Corrente - Saturazione | 1.1A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 312 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS201612HBX-4R7M-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VLS201612HBX-4R7M-1-FT |
MLG0402Q7N5JT000
TDK Corporation
MLG0402Q8N2HT000
TDK Corporation
MLG0402Q8N2JT000
TDK Corporation
MLG0402Q9N1HT000
TDK Corporation
MLG0402Q9N1JT000
TDK Corporation
MLD2016S1R5MTD25
TDK Corporation
MLD2012SR47TTD25
TDK Corporation
MLD2016S1R0MTD25
TDK Corporation
MLD2016S2R2MTD25
TDK Corporation
MLD2016S3R3MTD25
TDK Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel