casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / VKM60-01P1
codice articolo del costruttore | VKM60-01P1 |
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Numero di parte futuro | FT-VKM60-01P1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
VKM60-01P1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Potenza - Max | 300W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | ECO-PAC2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ECO-PAC2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VKM60-01P1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VKM60-01P1-FT |
HAT2210RWS-E
Renesas Electronics America
IRF6150
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IRF6156
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IRF6702M2DTR1PBF
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Microchip Technology
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Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5BG332I
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