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Infineon Technologies IRF6702M2DTR1PBF

Name: IRF6702M2DTR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6702M2DTR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.5 (572 reviews)

Numero parte MFG: IRF6702M2DTR1PBF

quantità disponibile: 42600 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF6702M2DTR1PBF.pdf

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IRF6702M2DTR1PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF6702M2DTR1PBF
Numero di parte futuro	FT-IRF6702M2DTR1PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF6702M2DTR1PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1380pF @ 15V
Potenza - Max	2.7W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DirectFET™ Isometric MA
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET™ MA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6702M2DTR1PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF6702M2DTR1PBF-FT

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