casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VIT10200C-E3/4W
codice articolo del costruttore | VIT10200C-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VIT10200C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VIT10200C-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VIT10200C-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VIT10200C-E3/4W-FT |
V60170PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60200PGW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60H150PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80100PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80170PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V80H150PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT40L45PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT60L45PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT80L45PW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VIT30L60C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel