casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-10ETF12FP-M3
codice articolo del costruttore | VS-10ETF12FP-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-10ETF12FP-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-10ETF12FP-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 310ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 Full Pack |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF12FP-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-10ETF12FP-M3-FT |
VS-SD800C45L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C04C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C08C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C16C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C25C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C32C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C04S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C08S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD603C10S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel