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Rohm Semiconductor HS8K11TB

Numero parte MFG
HS8K11TB
quantità disponibile
42180 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.12276
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Data di spedizione
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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HS8K11TB specificazioni

codice articolo del costruttore HS8K11TB
Numero di parte futuro FT-HS8K11TB
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
HS8K11TB Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore HSML3030L10
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HS8K11TB Peso Contattaci
Numero parte di ricambio HS8K11TB-FT

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