casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VBT5202-M3/8W
codice articolo del costruttore | VBT5202-M3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VBT5202-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT5202-M3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT5202-M3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT5202-M3/8W-FT |
EGL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel