casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GL34BHE3/98
codice articolo del costruttore | GL34BHE3/98 |
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Numero di parte futuro | FT-GL34BHE3/98 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
GL34BHE3/98 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 500mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA (GL34) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GL34BHE3/98 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GL34BHE3/98-FT |
SS1FN6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH01W-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH01WHM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH02W-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH02WHM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6480-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel