casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VBT1045CBP-E3/4W
codice articolo del costruttore | VBT1045CBP-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VBT1045CBP-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT1045CBP-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT1045CBP-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT1045CBP-E3/4W-FT |
VS-20CTQ150SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT30L60C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB20H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1545CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10H100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel