casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO40-08NO6
codice articolo del costruttore | VBO40-08NO6 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO40-08NO6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO40-08NO6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO40-08NO6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO40-08NO6-FT |
DB103-BP
Micro Commercial Co
DB102-BP
Micro Commercial Co
DB101-BP
Micro Commercial Co
DB101
Micro Commercial Co
DB102
Micro Commercial Co
DB103
Micro Commercial Co
DB104
Micro Commercial Co
DB105
Micro Commercial Co
DB106
Micro Commercial Co
DB107
Micro Commercial Co
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel