casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DB103-BP
codice articolo del costruttore | DB103-BP |
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Numero di parte futuro | FT-DB103-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB103-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DB-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB103-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB103-BP-FT |
MB154W-BP
Micro Commercial Co
MB1505W-BP
Micro Commercial Co
MB1505W
Micro Commercial Co
MB1510W
Micro Commercial Co
MB1510W-BP
Micro Commercial Co
MB151W
Micro Commercial Co
MB151W-BP
Micro Commercial Co
MB152W
Micro Commercial Co
MB152W-BP
Micro Commercial Co
MB154W
Micro Commercial Co
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC4005E-1PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQ208
Microsemi Corporation
A3P030-VQ100
Microsemi Corporation
10CL016ZU484I8G
Intel
10AX027H4F34I3SG
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation