casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO25-14NO2
codice articolo del costruttore | VBO25-14NO2 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO25-14NO2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO25-14NO2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Avalanche |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 38A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.36V @ 55A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, FO-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO25-14NO2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO25-14NO2-FT |
MB18M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-G
Comchip Technology
MB2M-BP
Micro Commercial Co
MB2M-G
Comchip Technology
MB4M-BP
Micro Commercial Co
MB4M-G
Comchip Technology
MB6M-BP
Micro Commercial Co
MB8M-BP
Micro Commercial Co
MB8M-G
Comchip Technology
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
Intel
EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel