casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO25-14NO2
codice articolo del costruttore | VBO25-14NO2 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO25-14NO2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO25-14NO2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Avalanche |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 38A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.36V @ 55A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, FO-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO25-14NO2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO25-14NO2-FT |
MB18M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-G
Comchip Technology
MB2M-BP
Micro Commercial Co
MB2M-G
Comchip Technology
MB4M-BP
Micro Commercial Co
MB4M-G
Comchip Technology
MB6M-BP
Micro Commercial Co
MB8M-BP
Micro Commercial Co
MB8M-G
Comchip Technology
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45C2N
Intel
5SGXEBBR3H43I3LN
Intel
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K100EBC356-3
Intel
EP4SGX530HH35C2
Intel