casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MB8M-BP
codice articolo del costruttore | MB8M-BP |
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Numero di parte futuro | FT-MB8M-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB8M-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.200", 5.08mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | MB-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB8M-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB8M-BP-FT |
KBP302G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP303G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP303G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP304-BP
Micro Commercial Co
KBP304G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP304G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP305G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP305G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP306-BP
Micro Commercial Co
KBP306G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel