casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBL410_HF
codice articolo del costruttore | GBL410_HF |
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Numero di parte futuro | FT-GBL410_HF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBL410_HF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBL |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL410_HF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBL410_HF-FT |
GBU601-G
Comchip Technology
GBU602-G
Comchip Technology
GBU604-G
Comchip Technology
GBU606-G
Comchip Technology
GBU608-G
Comchip Technology
GBU610-G
Comchip Technology
GBU8005-G
Comchip Technology
GBU802-G
Comchip Technology
GBU804-G
Comchip Technology
GBU806-G
Comchip Technology
A54SX32A-TQ144I
Microsemi Corporation
XC2V250-4FGG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
XCV150-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation