casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO19-12NO7
codice articolo del costruttore | VBO19-12NO7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VBO19-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO19-12NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 21A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.12V @ 7A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Slim-PAC |
Pacchetto dispositivo fornitore | Slim-PAC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO19-12NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO19-12NO7-FT |
MB10M-G
Comchip Technology
MB110M-BP
Micro Commercial Co
MB12M-BP
Micro Commercial Co
MB14M-BP
Micro Commercial Co
MB16M-BP
Micro Commercial Co
MB18M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-G
Comchip Technology
MB2M-BP
Micro Commercial Co
MB2M-G
Comchip Technology
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG256I
Microsemi Corporation
XC4020XL-09HT176C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C6N
Intel
10M02SCE144C7G
Intel
5AGXMA3D4F27C4N
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I1SG
Intel