casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MB16M-BP
codice articolo del costruttore | MB16M-BP |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MB16M-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB16M-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Schottky |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 60V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.200", 5.08mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | MB-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB16M-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB16M-BP-FT |
KBP206G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP207G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP207G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP3005-BP
Micro Commercial Co
KBP301-BP
Micro Commercial Co
KBP301G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP301G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302-BP
Micro Commercial Co
KBP302G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
Intel
5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel