casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO19-08NO7
codice articolo del costruttore | VBO19-08NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO19-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO19-08NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 21A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.12V @ 7A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Slim-PAC |
Pacchetto dispositivo fornitore | Slim-PAC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO19-08NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO19-08NO7-FT |
MB05M-G
Comchip Technology
MB10M-G
Comchip Technology
MB110M-BP
Micro Commercial Co
MB12M-BP
Micro Commercial Co
MB14M-BP
Micro Commercial Co
MB16M-BP
Micro Commercial Co
MB18M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-BP
Micro Commercial Co
MB1M-G
Comchip Technology
MB2M-BP
Micro Commercial Co
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG68
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6N
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation