casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO13-12NO2
codice articolo del costruttore | VBO13-12NO2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VBO13-12NO2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO13-12NO2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 55A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, FO-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | FO-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO13-12NO2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO13-12NO2-FT |
DB106
Micro Commercial Co
DB107
Micro Commercial Co
2KBP10-BP
Micro Commercial Co
2KBP08-BP
Micro Commercial Co
2KBP04-BP
Micro Commercial Co
2KBP06-BP
Micro Commercial Co
VBO52-08NO7
IXYS
VBO52-12NO7
IXYS
VBO52-16NO7
IXYS
VBO52-18NO7
IXYS
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QC208-3
Intel
EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel