casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO52-18NO7
codice articolo del costruttore | VBO52-18NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO52-18NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO52-18NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.8kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 52A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-D |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-D |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO52-18NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO52-18NO7-FT |
MB251W
Micro Commercial Co
MB252W
Micro Commercial Co
MB252W-BP
Micro Commercial Co
MB254W
Micro Commercial Co
MB254W-BP
Micro Commercial Co
MB256W
Micro Commercial Co
MB256W-BP
Micro Commercial Co
MB258W
Micro Commercial Co
MB258W-BP
Micro Commercial Co
MB3505W
Micro Commercial Co
AGL400V2-FG256
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP1K50FC256-2N
Intel
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel