casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB60100C-M3/8W
codice articolo del costruttore | VB60100C-M3/8W |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VB60100C-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB60100C-M3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB60100C-M3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB60100C-M3/8W-FT |
V40DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel