casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V60DM60C-M3/I
codice articolo del costruttore | V60DM60C-M3/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-V60DM60C-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V60DM60C-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.1mA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AC (SMPD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V60DM60C-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V60DM60C-M3/I-FT |
VS-61CTQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-61CTQ035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-61CTQ040-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-61CTQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-61CTQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-61CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-62CTQ030-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-62CTQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-63CTQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-63CTQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel