casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB30M120CHM3/I
codice articolo del costruttore | VB30M120CHM3/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VB30M120CHM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TMBS® |
VB30M120CHM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30M120CHM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB30M120CHM3/I-FT |
QRD1210005
Powerex Inc.
QRD1210T30
Powerex Inc.
QRD1220R30
Powerex Inc.
QRD1220T30
Powerex Inc.
QRD1230R30
Powerex Inc.
QRD1230T30
Powerex Inc.
QRD1415T30
Powerex Inc.
QRD1420T30
Powerex Inc.
QRD1430T30
Powerex Inc.
QRD3310001
Powerex Inc.
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation