casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / QRD1220T30
codice articolo del costruttore | QRD1220T30 |
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Numero di parte futuro | FT-QRD1220T30 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QRD1220T30 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 99A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.5V @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRD1220T30 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QRD1220T30-FT |
MSAD36-08
Microsemi Corporation
MSAD36-12
Microsemi Corporation
MSAD36-16
Microsemi Corporation
MSAD36-18
Microsemi Corporation
MSAD60-08
Microsemi Corporation
MSAD60-12
Microsemi Corporation
MSAD60-16
Microsemi Corporation
MSAD60-18
Microsemi Corporation
MSAD70-08
Microsemi Corporation
MSAD70-12
Microsemi Corporation
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel