casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VB30100S-E3/8W
codice articolo del costruttore | VB30100S-E3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VB30100S-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB30100S-E3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30100S-E3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB30100S-E3/8W-FT |
EGL34FHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation