casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VB30100S-E3/8W
codice articolo del costruttore | VB30100S-E3/8W |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VB30100S-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB30100S-E3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30100S-E3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB30100S-E3/8W-FT |
EGL34FHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel