casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT54WS-G3-18
codice articolo del costruttore | BAT54WS-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT54WS-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAT54WS-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54WS-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54WS-G3-18-FT |
RGP15KHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15MHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP15MHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2H100HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB320S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB320S-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB330S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB340S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB350S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB360S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel