casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V35PW15-M3/I
codice articolo del costruttore | V35PW15-M3/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-V35PW15-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V35PW15-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 35A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 1620pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SlimDPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V35PW15-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V35PW15-M3/I-FT |
VS-10WQ045FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel