casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V35DM120HM3/I
codice articolo del costruttore | V35DM120HM3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V35DM120HM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V35DM120HM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6.3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 35A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.2mA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AC (SMPD) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V35DM120HM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V35DM120HM3/I-FT |
GSD2004W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AW-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel