casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GSD2004W-HE3-18
codice articolo del costruttore | GSD2004W-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-GSD2004W-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GSD2004W-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 240V |
Corrente: media rettificata (Io) | 225mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 240V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSD2004W-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSD2004W-HE3-18-FT |
V30120S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TA60C-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MUR1520-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1080SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2080SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel