casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V20WM100C-M3/I
codice articolo del costruttore | V20WM100C-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V20WM100C-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
V20WM100C-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20WM100C-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V20WM100C-M3/I-FT |
BAT6405WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT54AWFILM
STMicroelectronics
BAV199WT-TP
Micro Commercial Co
BAW56WT-TP
Micro Commercial Co
BAT54AWFILMY
STMicroelectronics
BAT54CWFILMY
STMicroelectronics
BAV70WT-TP
Micro Commercial Co
BAS12504WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS12505WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS4005WH6327XTSA1
Infineon Technologies
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel