casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAW56WT-TP
codice articolo del costruttore | BAW56WT-TP |
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Numero di parte futuro | FT-BAW56WT-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAW56WT-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56WT-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW56WT-TP-FT |
BAV70E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAV70_D87Z
ON Semiconductor
BAV74_D87Z
ON Semiconductor
BAV99-D87Z
ON Semiconductor
BAV99E6327
Infineon Technologies
BAW 56 B5003
Infineon Technologies
BAW 56 E6433
Infineon Technologies
BAW156E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAW56
ON Semiconductor
BAW56E6327
Infineon Technologies
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FGG320C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
EP2S60F1020C3N
Intel