casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V20150SG-E3/4W
codice articolo del costruttore | V20150SG-E3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-V20150SG-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
V20150SG-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20150SG-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V20150SG-E3/4W-FT |
VS-30APF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30APF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40APS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel