casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-30APF12-M3
codice articolo del costruttore | VS-30APF12-M3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30APF12-M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-30APF12-M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.41V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 450ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30APF12-M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30APF12-M3-FT |
VS-8EWF06SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF06STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF06STRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF06STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF10SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF10STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF12SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF12STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF12STRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWF12STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel