casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V15P8-M3/86A
codice articolo del costruttore | V15P8-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-V15P8-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V15P8-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4.6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.2mA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V15P8-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V15P8-M3/86A-FT |
BAV19WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel