casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV21WS-G3-18
codice articolo del costruttore | BAV21WS-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV21WS-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV21WS-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21WS-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV21WS-G3-18-FT |
VS-SD300C08C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C16C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C25C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C28C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD300C32C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD303C04S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD303C08S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel