casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V15P6-M3/86A
codice articolo del costruttore | V15P6-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-V15P6-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V15P6-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4.8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 7.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3.6mA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V15P6-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V15P6-M3/86A-FT |
BAV19WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel