casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V10KM120DUHM3/H
codice articolo del costruttore | V10KM120DUHM3/H |
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Numero di parte futuro | FT-V10KM120DUHM3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
V10KM120DUHM3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 350µA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | FlatPAK 5x6 (Dual) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10KM120DUHM3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V10KM120DUHM3/H-FT |
VFT1080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel