casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V10KM120DU-M3/I
codice articolo del costruttore | V10KM120DU-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V10KM120DU-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
V10KM120DU-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 350µA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | FlatPAK 5x6 (Dual) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10KM120DU-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V10KM120DU-M3/I-FT |
VFT1060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT1080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel