casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / US2M-TP
codice articolo del costruttore | US2M-TP |
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Numero di parte futuro | FT-US2M-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US2M-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 28pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US2M-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US2M-TP-FT |
UFS550JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS560J/TR13
Microsemi Corporation
UFS560JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS570J/TR13
Microsemi Corporation
UFS570JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS580J/TR13
Microsemi Corporation
UFS580JE3/TR13
Microsemi Corporation
MURS3G-TP
Micro Commercial Co
SK1010-TP
Micro Commercial Co
SK1035-TP
Micro Commercial Co
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
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