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codice articolo del costruttore | MURS3G-TP |
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Numero di parte futuro | FT-MURS3G-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURS3G-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS3G-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS3G-TP-FT |
FR6J-TP
Micro Commercial Co
HSM3100J/TR13
Microsemi Corporation
HSM3100JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM350J/TR13
Microsemi Corporation
HSM350JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM360J/TR13
Microsemi Corporation
HSM360JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM380J/TR13
Microsemi Corporation
HSM380JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM390J/TR13
Microsemi Corporation
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel