casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / US1MHM2G
codice articolo del costruttore | US1MHM2G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-US1MHM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
US1MHM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1MHM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US1MHM2G-FT |
RS2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2KAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2MAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel