casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS2MAHM2G
codice articolo del costruttore | RS2MAHM2G |
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Numero di parte futuro | FT-RS2MAHM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS2MAHM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2MAHM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS2MAHM2G-FT |
ES1DVHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21MHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1B M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel