casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / US1KHE3_A/H
codice articolo del costruttore | US1KHE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-US1KHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
US1KHE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1KHE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US1KHE3_A/H-FT |
SS26S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B340A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1J-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS1G-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel